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產(chǎn)品中心專用儀器儀表分析儀DP-WMG-1邁克爾遜干涉儀
邁克爾遜干涉儀
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | YODP/亞歐德鵬 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 環(huán)保,食品/農(nóng)產(chǎn)品,化工,農(nóng)林牧漁,綜合 |
邁克爾遜干涉儀 干涉儀 型號：DP-WMG-1
DP-WMG-1型邁克爾遜干涉儀是用于院校和科研所驗證相關物理光學實驗的儀器。該儀器采用平臺式鑄鐵底座，有效地提高了儀器的穩(wěn)定性。
技術參數(shù)：
主要性能指標：
動鏡移動精度（微調）：0.0004mm
動鏡移動精度（粗調）：0.01mm
動鏡移動距離（微調）：1mm
動鏡移動距離（粗調）：12mm
分束板和補償板平面度：≤1/20λ
激光輸出功率：0.8-1mW
系統(tǒng)成套性：
干涉儀主機 He-Ne激光器 一維可調升降底座等
可選附件：
低壓鈉燈 白光源 氣室部件（氣室、壓力表、壓氣球） 法布里珀羅標準具
主要特點：
可開設實驗：
觀察點光源非定域干涉
觀察等傾干涉條紋
觀察等厚干涉條紋
觀察白光干涉現(xiàn)象
測定光源或濾光片的波長（例：He-Ne激光、鈉光）
測定鈉黃雙線波長差
測量透明介質薄片折射率
測量透明氣體折射率
高速分散均質機 分散均質機 型號：DP-FJ-200
本儀器調采用可控硅高速度調節(jié)系統(tǒng)，使轉速從慢到快均勻穩(wěn)速。光電采用了電子表電路為研究的結果提供可靠的轉速依據(jù)，面板顯示清晰，讀數(shù)直觀，使用方便。
技術指標：
電機轉速：25000轉/分
小勻漿刀；轉速 22000轉/分
大勻漿刀；轉速 22000轉/分
連續(xù)工作：<分鐘
功率：185W
電源電壓：220W ±10% 50Hz
袖珍式測振儀/便攜式測振儀 型號：DP-BM213
手持式測振儀（含外置剪切式壓電加速度計和內置加速度計兩種型號），可以選擇四種振動測量參數(shù)(加速度、速度、位移、高頻加速度)，具有測量數(shù)據(jù)保持，自動關機等多種功能。它不僅可以測量振動的加速度、速度、位移，對旋轉機械及往復式機械進行故障診斷；而且可以通過測量振動的高頻加速度值，對旋轉機械的軸承、齒輪、進行故障診斷。 手持式測振儀用于旋轉機械的烈度診斷，因此該儀器被廣泛用于機械制造、電力、化工等領域。
技術指標：
配接傳感器：剪切式壓電傳感器
頻率范圍（Hz）：高頻加速度：1000Hz～5000Hz；加速度：10Hz～1000Hz； 速度：10Hz～1000Hz；位移：10Hz～500Hz
測量范圍：高頻加速度：（H）（單峰值）：0.1～199.9m/s2；加速度：(A)（單峰值）：0.1～199.9 m/s2；速度：（V）（真有效值）：0.1～199.9 mm/s；位移：（D）（峰-峰值）：1～1999um
精度：±5%（±2個字）
通道數(shù)：1
應用：現(xiàn)場測量
工作環(huán)境：溫度0～40℃，相對濕度<85%
尺寸：150×25×20
重量：100克（包括電池、傳感器）
供電：3．6V鋰離子電池，可連續(xù)工作20個小時以上
發(fā)動機冷卻液冰點測定儀 冷卻液冰點測定儀 冷卻液冰點儀 型號：DP-DFYF-172
一、用途
本儀器選擇不同的配置，可分別用于噴氣燃料、發(fā)動機冷卻液及其濃縮液冰點等指標的測定，是一款多用途的冰點試驗器。
二、技術參數(shù)
1、 工作電源： AC 220V±10%；50Hz。
2、 工作冷槽： 不銹鋼冷槽，雙層真空玻璃觀察窗。
3、 冷槽控溫： +20℃～-70℃。
4、 控溫精度： ±0.5℃。
5、 浴液攪拌： 攪拌電機自動攪拌，功率6W，1200r/m。
6、 制冷系統(tǒng)： 新型制冷壓縮機。
7、 試樣攪拌： 電磁攪拌，0～120次/分鐘，連續(xù)可調。
8、 環(huán)境溫度： ≤30℃。
9、 相對濕度： ≤85%。
半導體導電型號鑒別儀 型號：DP-STZ-8
DP-STZ—8型半導體導電型號鑒別儀是為了鑒別硅單晶材料的導電類型 “P"和 “N"的測量儀器,是采用溫差效應和整流效應兩種方法相結合綜合性的測量導電型號儀器,測量范圍廣硅材料電阻率從10-4~103Ω•cm,儀器采用放大電路和判別電路，將材料上的微弱信號放大，并用 “P" “N"數(shù)碼直接顯示，儀器采用手持式四探然探頭，使用簡單，操作方便，適合半導體材料廠、器件廠和科研部門需要。
主要技術指標：
1． 測量范圍：硅單晶材料電阻率10-4~103Ω•cm
溫差法：10-4~10Ω•cm
整流法：10~103Ω•cm，并對<0.1Ω•cm的材料具有聲光報警功能。
2． 可測量材料：半導體硅棒和硅片，及硅碎顆粒。
可測半導體材料尺寸：Φ15~Φ150 mm以上。
3． 顯示方式：P、N 燈顯示。
4． 測試探頭：手持式 探針間距3 mm 探針Φ1mm 高速鋼
5． 電源：220V 50HZ 20W
6． 儀器尺寸：100×260×260
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