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發(fā)布時間：2017/12/28
點(diǎn)擊次數(shù)：412
樣品平臺/平臺 型號：DP-SB120/1
樣品平臺/平臺 其中：DP-SB120線圈平臺及DP-SB120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率行測試及研究。
該實(shí)驗(yàn)平臺由帶360º刻度的底盤，安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤，安裝在底盤上的樣品平臺（低可調(diào)）以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成DP-SB100/1樣品平臺。
DP-SB120線圈平臺主要增加了二個相型的亥姆霍茲磁場線圈，分別安置在樣品平臺的兩側(cè)，且固定在可旋轉(zhuǎn)360º的襯盤兩邊上，樣品平臺位于磁場的中心，在其通電0-60V/的情況下，可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯特。
該實(shí)驗(yàn)平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下，對其的測試研究提供了方便。
當(dāng)前位置：
